存储芯片价格暴涨
存储芯片价格持续高涨行业迎来爆发式增长
2月28日,国家发展改革委价格监测中心发文称,2025年9月份至今,受需求"爆发式"增长、产能"断崖式"紧缺等因素影响,全球存储器市场缺口扩大,存储芯片价格持续上涨,近一个多月以来,涨幅呈现扩大态势,建议关注存储芯片对下游价格的影响。
AI算力需求爆发与端侧硬件迭代形成共振,推动存储芯片行业进入高速增长阶段。近期,多家存储芯片行业上市公司披露了2025年年度业绩,交出了亮丽的"成绩单"。
价格涨幅创历史纪录
自2025年下半年起,存储市场持续上行,开启新一轮涨价周期,引发市场高度关注。集邦咨询2026年2月份发布的数据显示,近三个月存储芯片现货价格累计涨幅已超300%。
预计2026年第一季度,DRAM价格涨幅达80%至95%,主流产品12GBLPDDR5X内存成本从200元涨至近600元,同期256GBUFS4.0闪存成本涨幅亦达到80%至90%。值得关注的是,内存价格波动周期已缩短至历史最短,甚至出现单月两次调价的情况。
据BusinessKorea等外媒报道,2月份通用PCDRAM产品(DDR48Gb1Gx8)平均固定交易价格为13.00美元,较上月11.50美元上涨13.04%,再度创下历史新高。自2025年4月以来,该品类价格已连续11个月上涨,本月价格为2016年6月该项调查启动以来最高水平。
供需失衡格局延续
TrendForce分析表示,全球存储供应商将产能集中投向高容量3DNAND产品,导致SLC、MLC等成熟工艺产品供应短缺加剧。叠加人工智能和边缘计算、汽车电子应用需求持续增长,存储芯片市场供需失衡局面预计将延续至2026年下半年,NAND闪存价格上半年将保持稳健上行趋势。
东莞证券发布研报称,AI数据中心对高密度存储需求快速提升,存储芯片价格持续上涨,推动相关企业盈利增长;半导体设备与材料企业则受益于先进制程扩产及供应链本土化建设;叠加政策支持,行业整体景气度将持续提升。
中国投资协会上市公司投资专业委员会副会长支培元表示,展望2026年,存储芯片价格有望延续强势上行态势。本轮由AI结构性需求驱动的上行周期或将延续至2027年,核心逻辑在于AI需求具备较强刚性与持续性,叠加主要厂商产能扩张相对审慎,行业供需偏紧格局短期内难以得到根本性改善。
上市公司业绩亮眼
受益于存储芯片价格持续上行,上市公司业绩迎来了集中兑现期。

佰维存储发布的业绩快报显示,该公司2025年度实现营业总收入112.96亿元,同比增长68.72%;归属于母公司所有者的净利润8.67亿元,同比增长437.56%。公司表示,报告期内,公司紧紧把握行业上行机遇,大力拓展全球头部客户,实现了市场与业务的成长突破,产品销量同比大幅提升。
德明利发布的2025年年度报告显示,该公司报告期内实现营业收入107.89亿元,同比增长126.07%,首次突破百亿元;扣非归母净利润6.88亿元,同比增长120.77%,主业盈利持续增强。同时,公司拟向全体股东每10股派发现金红利4元。
中关村物联网产业联盟副秘书长袁帅表示,2025年存储芯片头部企业业绩整体向好,系需求、供给与产业周期多重因素共同驱动。一方面,以AI为核心的新兴应用催生了对高容量、高性能存储芯片的刚性需求,成为市场增长的核心引擎;另一方面,行业历经前期深度调整后,供需格局实现结构性改善,带动产品价格步入上行通道,企业盈利能力得以修复。
HBM芯片价格上涨30%
与此同时,先进存储芯片HBM的价格也在持续攀升。三星有意将最先进的存储芯片HBM4涨价幅度定在20%—30%之间,据韩媒报道,知情人士称,三星电子就新一代高带宽存储芯片HBM4约700美元的单价进行谈判,预期将较上一代产品大幅调升约30%。
此次涨价主要是因为需求上升,不仅反映了高阶芯片市场供应持续短缺的现状,更象征三星在AI内存领域强势的"定价话语权"。分析师预估,这项价格调整计划,可望带动三星HBM4的营业利润率攀升至50%到60%之间。
根据花旗集团及多家市场研究机构的预测,这种供不应求的"内存短缺潮"极有可能延续至2027年,这将持续支撑韩国芯片双强的获利表现。



